Številka izdelka proizvajalca:
TK14A65W,S5X
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TK14A65W,S5X-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 13.7A TO220SIS
Podroben opis:
N-Channel 650 V 13.7A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Zaloga:
19 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12890663
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TK14A65W,S5X Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tube
Serije
DTMOSIV
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
13.7A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
250mOhm @ 6.9A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 690µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1300 pF @ 300 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
40W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220SIS
Paket / Primer
TO-220-3 Full Pack
Osnovna številka izdelka
TK14A65
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
TK14A65W,S5X-DG
TK14A65WS5X
TK14A65W,S5X(M
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
FCPF260N60E
PROIZVAJALEC
Fairchild Semiconductor
KOLIČINA NA VOLJO
190
ŠTEVILKA DELA
FCPF260N60E-DG
CENA ENOTE
1.76
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SSM3J120TU,LF
MOSFET P-CH 20V 4A UFM
SSM3J132TU,LF
MOSFET P-CH 12V 5.4A UFM
TPH2R506PL,L1Q
MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
