Številka izdelka proizvajalca:
TK16J60W5,S1VQ
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TK16J60W5,S1VQ-DG
Opis:
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Podroben opis:
N-Channel 600 V 15.8A (Ta) 130W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Zaloga:
21 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12920898
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TK16J60W5,S1VQ Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tube
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
15.8A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
230mOhm @ 7.9A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 790µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1350 pF @ 300 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
130W (Tc)
Delovna temperatura
150°C
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-3P(N)
Paket / Primer
TO-3P-3, SC-65-3
Osnovna številka izdelka
TK16J60
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
TK16J60W5,S1VQ(O
264-TK16J60W5S1VQ
Standardni paket
25
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
TK17A65W5,S5X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
TPH1500CNH,L1Q
MOSFET N-CH 150V 38A 8SOP
TK1K0A60F,S4X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
