Številka izdelka proizvajalca:
TK16N60W,S1VF
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TK16N60W,S1VF-DG
Opis:
MOSFET N CH 600V 15.8A TO247
Podroben opis:
N-Channel 600 V 15.8A (Ta) 130W (Tc) Through Hole TO-247
Zaloga:
30 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12889805
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TK16N60W,S1VF Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tube
Serije
DTMOSIV
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
15.8A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
190mOhm @ 7.9A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.7V @ 790µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1350 pF @ 300 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
130W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-247
Paket / Primer
TO-247-3
Osnovna številka izdelka
TK16N60
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
TK16N60WS1VF
TK16N60W,S1VF(S
Standardni paket
30
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
TK15A60U(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 600V 15A TO220SIS
SSM6K361NU,LF
MOSFET N-CH 100V 3.5A 6UDFNB
TK6P60W,RVQ
MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK