Številka izdelka proizvajalca:
TK20A60W5,S5VX
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TK20A60W5,S5VX-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS
Podroben opis:
N-Channel 600 V 20A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Zaloga:
50 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12889267
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TK20A60W5,S5VX Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tube
Serije
DTMOSIV
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
20A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
175mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1800 pF @ 300 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
45W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220SIS
Paket / Primer
TO-220-3 Full Pack
Osnovna številka izdelka
TK20A60
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
TK20A60W5,S5VX-DG
TK20A60W5S5VX
TK20A60W5,S5VX(M
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
DMN3025LFV-7
MOSFET N-CH 30V 25A POWERDI3333
SSM3J56MFV,L3F
MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
SSM3J114TU(TE85L)
MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
