Številka izdelka proizvajalca:
TK2Q60D(Q)
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TK2Q60D(Q)-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD2
Podroben opis:
N-Channel 600 V 2A (Ta) 60W (Tc) Through Hole PW-MOLD2
Zaloga:
190 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12891499
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TK2Q60D(Q) Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Bulk
Serije
π-MOSVII
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
2A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
4.3Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.4V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
280 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
60W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PW-MOLD2
Paket / Primer
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Osnovna številka izdelka
TK2Q60
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
TK2Q60DQ
Standardni paket
200
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IRFUC20PBF
PROIZVAJALEC
Vishay Siliconix
KOLIČINA NA VOLJO
7
ŠTEVILKA DELA
IRFUC20PBF-DG
CENA ENOTE
0.60
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
TK56E12N1,S1X
MOSFET N CH 120V 56A TO-220
BSS138TA-79
MOSFET N-CH SOT23
SSM3J352F,LF
MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
