Številka izdelka proizvajalca:
TK30E06N1,S1X
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TK30E06N1,S1X-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 43A TO220
Podroben opis:
N-Channel 60 V 43A (Ta) 53W (Tc) Through Hole TO-220
Zaloga:
24 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12890280
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TK30E06N1,S1X Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tube
Serije
U-MOSVIII-H
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
43A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
15mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 200µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1050 pF @ 30 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
53W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
TK30E06
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
TK30E06N1,S1X(S
TK30E06N1S1X
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
STP60NF06L
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
994
ŠTEVILKA DELA
STP60NF06L-DG
CENA ENOTE
0.80
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
TPN2R304PL,L1Q
MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
TPC8036-H(TE12L,QM
MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP
TPCF8B01(TE85L,F,M
MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8
