Številka izdelka proizvajalca:
TK31J60W5,S1VQ
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TK31J60W5,S1VQ-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO3P
Podroben opis:
N-Channel 600 V 30.8A (Ta) 230W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Zaloga:
25 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12889752
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TK31J60W5,S1VQ Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tube
Serije
DTMOSIV
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
30.8A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
88mOhm @ 15.4A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.7V @ 1.5mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
105 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
3000 pF @ 300 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
230W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-3P(N)
Paket / Primer
TO-3P-3, SC-65-3
Osnovna številka izdelka
TK31J60
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
TK31J60W5S1VQ
TK31J60W5,S1VQ(O
Standardni paket
25
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
TK25E60X5,S1X
MOSFET N-CH 600V 25A TO220
SSM6J215FE(TE85L,F
MOSFET P CH 20V 3.4A ES6
SSM3J145TU,LF
MOSFET P-CH 20V 3A UFM
