Številka izdelka proizvajalca:
TK3R1A04PL,S4X
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TK3R1A04PL,S4X-DG
Opis:
MOSFET N-CH 40V 82A TO220SIS
Podroben opis:
N-Channel 40 V 82A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Zaloga:
61 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12889778
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TK3R1A04PL,S4X Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tube
Serije
U-MOSIX-H
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
40 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
82A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
3.8mOhm @ 30A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
2.4V @ 500µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
63.4 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
4670 pF @ 20 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
36W (Tc)
Delovna temperatura
175°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220SIS
Paket / Primer
TO-220-3 Full Pack
Osnovna številka izdelka
TK3R1A04
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
TK3R1A04PLS4X
TK3R1A04PL,S4X(S
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SSM5H16TU,LF
MOSFET N-CH 30V 1.9A UFV
2SK2231(TE16R1,NQ)
MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD
2SK2719(F)
MOSFET N-CH 900V 3A TO3P
