Številka izdelka proizvajalca:
TK31V60W5,LVQ
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TK31V60W5,LVQ-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Podroben opis:
N-Channel 600 V 30.8A (Ta) 240W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
Zaloga:
12788 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12890391
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TK31V60W5,LVQ Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
DTMOSIV
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
30.8A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
109mOhm @ 15.4A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 1.5mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
105 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
3000 pF @ 300 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
240W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TA)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
4-DFN-EP (8x8)
Paket / Primer
4-VSFN Exposed Pad
Osnovna številka izdelka
TK31V60
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
TK31V60W5LVQDKR
TK31V60W5LVQTR
TK31V60W5LVQCT
TK31V60W5,LVQ(S
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
TPH8R903NL,LQ
MOSFET N CH 30V 20A 8SOP
SSM3J35AMFV,L3F
MOSFET P-CH 20V 250MA VESM
DMG3415UFY4-7
MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN2015H4-3
