Številka izdelka proizvajalca:
TK33S10N1Z,LQ
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TK33S10N1Z,LQ-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Podroben opis:
N-Channel 100 V 33A (Ta) 125W (Tc) Surface Mount DPAK+
Zaloga:
1940 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12889506
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TK33S10N1Z,LQ Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
U-MOSVIII-H
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
33A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
9.7mOhm @ 16.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 500µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2050 pF @ 10 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
125W (Tc)
Delovna temperatura
175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
DPAK+
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
TK33S10
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
TK33S10N1ZLQTR
TK33S10N1ZLQCT
TK33S10N1ZLQDKR
TK33S10N1Z,LQ(O
Standardni paket
2,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
STD80N10F7
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
2500
ŠTEVILKA DELA
STD80N10F7-DG
CENA ENOTE
0.69
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
DMTH6004SPSQ-13
MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060
TK80S04K3L(T6L1,NQ
MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
SSM3K309T(TE85L,F)
MOSFET N-CH 20V 4.7A TSM