Številka izdelka proizvajalca:
TK34E10N1,S1X
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TK34E10N1,S1X-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 75A TO220
Podroben opis:
N-Channel 100 V 75A (Tc) 103W (Tc) Through Hole TO-220
Zaloga:
5 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12889476
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TK34E10N1,S1X Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tube
Serije
U-MOSVIII-H
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
75A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
9.5mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 500µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2600 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
103W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
TK34E10
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
TK34E10N1,S1X(S
TK34E10N1S1X
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IPP100N08N3GXKSA1
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
587
ŠTEVILKA DELA
IPP100N08N3GXKSA1-DG
CENA ENOTE
1.00
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
TK20V60W,LVQ
MOSFET N-CH 600V 20A 4DFN
TK16G60W,RVQ
MOSFET N CH 600V 15.8A D2PAK
TK8A45D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 450V 8A TO220SIS
