Številka izdelka proizvajalca:
TK3A60DA(STA4,Q,M)
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TK3A60DA(STA4,Q,M)-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220SIS
Podroben opis:
N-Channel 600 V 2.5A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Zaloga:
47 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12890934
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TK3A60DA(STA4,Q,M) Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tube
Serije
π-MOSVII
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
2.5A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
2.8Ohm @ 1.3A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.4V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
9 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
380 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
30W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220SIS
Paket / Primer
TO-220-3 Full Pack
Osnovna številka izdelka
TK3A60
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
TK3A60DA(STA4QM)
TK3A60DASTA4QM
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
STF3N62K3
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
1978
ŠTEVILKA DELA
STF3N62K3-DG
CENA ENOTE
0.35
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
TK72E12N1,S1X
MOSFET N CH 120V 72A TO-220
TPCC8093,L1Q
MOSFET N-CH 20V 21A 8TSON
TK9A90E,S4X
MOSFET N-CH 900V 9A TO220SIS