TK3R1P04PL,RQ
Številka izdelka proizvajalca:

TK3R1P04PL,RQ

Product Overview

Proizvajalec:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Številka dela:

TK3R1P04PL,RQ-DG

Opis:

MOSFET N-CHANNEL 40V 58A DPAK
Podroben opis:
N-Channel 40 V 58A (Tc) 87W (Tc) Surface Mount DPAK

Zaloga:

10623 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12889107
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

TK3R1P04PL,RQ Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
U-MOSIX-H
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
40 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
58A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
3.1mOhm @ 29A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.4V @ 500µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
4670 pF @ 20 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
87W (Tc)
Delovna temperatura
175°C
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
DPAK
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
TK3R1P04

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi

Dodatne informacije

Druga imena
TK3R1P04PLRQCT
TK3R1P04PLRQ(S2
TK3R1P04PLRQDKR
TK3R1P04PL,RQ(S2
TK3R1P04PLRQTR
TK3R1P04PLRQ
TK3R1P04PL,RQTR
Standardni paket
2,500

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
toshiba-semiconductor-and-storage

SSM6K405TU,LF

MOSFET N-CH 20V 2A UF6

toshiba-semiconductor-and-storage

TK31J60W,S1VQ

MOSFET N-CH 600V 30.8A TO3P

diodes

DMS3014SFGQ-7

MOSFET N-CH 30V 9.5A PWRDI3333-8

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3K36MFV,L3F

MOSFET N-CH 20V 500MA VESM