Številka izdelka proizvajalca:
TK40E06N1,S1X
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TK40E06N1,S1X-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 40A TO220
Podroben opis:
N-Channel 60 V 40A (Ta) 67W (Tc) Through Hole TO-220
Zaloga:
38 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12890638
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TK40E06N1,S1X Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tube
Serije
U-MOSVIII-H
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
40A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
10.4mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 300µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1700 pF @ 30 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
67W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
TK40E06
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
TK40E06N1S1X
TK40E06N1,S1X(S
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
STP80NF55-08
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
48
ŠTEVILKA DELA
STP80NF55-08-DG
CENA ENOTE
1.25
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
IRL3705NPBF
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
1417
ŠTEVILKA DELA
IRL3705NPBF-DG
CENA ENOTE
0.72
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
TK62N60W,S1VF
MOSFET N-CH 600V 61.8A TO247
TPCA8064-H,LQ(CM
MOSFET N-CH 30V 20A 8SOP
TK9J90E,S1E
MOSFET N-CH 900V 9A TO3P
