Številka izdelka proizvajalca:
TK9J90E,S1E
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TK9J90E,S1E-DG
Opis:
MOSFET N-CH 900V 9A TO3P
Podroben opis:
N-Channel 900 V 9A (Ta) 250W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Zaloga:
12890645
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TK9J90E,S1E Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tube
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
900 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
9A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1.3Ohm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 900µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2000 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
250W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-3P(N)
Paket / Primer
TO-3P-3, SC-65-3
Osnovna številka izdelka
TK9J90
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
TK9J90E,S1E(S
TK9J90ES1E
Standardni paket
25
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
TK9A65W,S5X
MOSFET N-CH 650V 9.3A TO220SIS
2SJ610(TE16L1,NQ)
MOSFET P-CH 250V 2A PW-MOLD
TPN2010FNH,L1Q
MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
