Številka izdelka proizvajalca:
TPN2010FNH,L1Q
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TPN2010FNH,L1Q-DG
Opis:
MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
Podroben opis:
N-Channel 250 V 5.6A (Ta) 700mW (Ta), 39W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Zaloga:
1183 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12890657
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TPN2010FNH,L1Q Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
U-MOSVIII-H
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
250 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
5.6A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
198mOhm @ 2.8A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 200µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
600 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
700mW (Ta), 39W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Paket / Primer
8-PowerVDFN
Osnovna številka izdelka
TPN2010
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
TPN2010FNHL1QCT
TPN2010FNHL1QTR
TPN2010FNH,L1Q(M
TPN2010FNHL1QDKR
Standardni paket
5,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
TK10Q60W,S1VQ
MOSFET N-CH 600V 9.7A IPAK
TK8Q60W,S1VQ
MOSFET N-CH 600V 8A IPAK
TK14A65W,S5X
MOSFET N-CH 650V 13.7A TO220SIS
