Domov
Izdelki
Proizvajalci
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogi in objave
Povpraševanje/Offer
Slovenia
Prijavite se
Izbira jezika
Trenutni jezik vašega izbora:
Slovenia
Preklopi:
Angleščina
Evropa
Velika Britanija
Francija
Španija
Turčija
Moldavija
Litva
Norveška
Nemčija
Portugalska
Slovaška
ltaly
Finska
Ruščina
Bolgarija
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češčina
Grščina
Hrvaška
Izrael
Srbija
Belorusija
Nizozemska
Švedska
Črna gora
Baskovščina
Islandija
Bosna
Madžarščina
Romunija
Avstrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kitajska
Vietnam
Indonezija
Tajska
Laos
Filipinščina
Malezija
Koreja
Japonska
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija in Bližnji vzhod
Združeni arabski emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipt
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunizija
Južna Amerika / Oceanija
Nova Zelandija
Angola
Brazilija
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Avstralija
Severna Amerika
Združene države Amerike
Haiti
Kanada
Kostarika
Mehika
O DiGi
O nas
O nas
Naše certifikate
DiGi Uvod
Zakaj DiGi
Politika
Politika kakovosti
Pogoji uporabe
Skladnost z direktivo RoHS
Postopek vračila
Viri
Kategorije izdelkov
Proizvajalci
Blogi in objave
Storitve
Garancija kakovosti
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cene pošiljanja
Pogosta vprašanja
Številka izdelka proizvajalca:
TK40E10N1,S1X
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TK40E10N1,S1X-DG
Opis:
MOSFET N CH 100V 90A TO220
Podroben opis:
N-Channel 100 V 90A (Tc) 126W (Tc) Through Hole TO-220
Zaloga:
28 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12891060
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
*
Podjetje
*
Ime kontaktne osebe
*
Telefon
*
E-pošta
Naslov za dostavo
Sporočilo
(
*
) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TK40E10N1,S1X Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tube
Serije
U-MOSVIII-H
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
90A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
8.2mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 500µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
3000 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
126W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
TK40E10
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
TK40E10N1
Dodatne informacije
Druga imena
TK40E10N1,S1X(S
TK40E10N1S1X
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
PSMN8R7-80PS,127
PROIZVAJALEC
NXP Semiconductors
KOLIČINA NA VOLJO
6806
ŠTEVILKA DELA
PSMN8R7-80PS,127-DG
CENA ENOTE
0.91
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
STP100N10F7
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
88
ŠTEVILKA DELA
STP100N10F7-DG
CENA ENOTE
1.11
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
SUP85N10-10-E3
PROIZVAJALEC
Vishay Siliconix
KOLIČINA NA VOLJO
384
ŠTEVILKA DELA
SUP85N10-10-E3-DG
CENA ENOTE
2.88
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
SQP120N10-09_GE3
PROIZVAJALEC
Vishay Siliconix
KOLIČINA NA VOLJO
229
ŠTEVILKA DELA
SQP120N10-09_GE3-DG
CENA ENOTE
1.77
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
IRFB4410PBF
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
8029
ŠTEVILKA DELA
IRFB4410PBF-DG
CENA ENOTE
1.16
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
TK16A60W5,S4VX
MOSFET N-CH 600V 15.8A TO220SIS
SSM3K44MFV,L3F
MOSFET N-CH 30V 100MA VESM
TK4A60D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 600V 4A TO220SIS
TK12A60W,S4VX
MOSFET N-CH 600V 11.5A TO220SIS