Številka izdelka proizvajalca:
TK560A60Y,S4X
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TK560A60Y,S4X-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 7A TO220SIS
Podroben opis:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 30W Through Hole TO-220SIS
Zaloga:
12891186
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TK560A60Y,S4X Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tube
Serije
DTMOSV
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
7A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
560mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 240µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
380 pF @ 300 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
30W
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220SIS
Paket / Primer
TO-220-3 Full Pack
Osnovna številka izdelka
TK560A60
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
TK560A60Y,S4X(S
TK560A60YS4X(S
TK560A60YS4X
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
STF10N60M2
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
2606
ŠTEVILKA DELA
STF10N60M2-DG
CENA ENOTE
0.53
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
TPN3R704PL,L1Q
MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
TK750A60F,S4X
MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
TK32A12N1,S4X
MOSFET N-CH 120V 32A TO220SIS
