Številka izdelka proizvajalca:
TK6A80E,S4X
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TK6A80E,S4X-DG
Opis:
MOSFET N-CH 800V 6A TO220SIS
Podroben opis:
N-Channel 800 V 6A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Zaloga:
15 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12890093
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
9WMY
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TK6A80E,S4X Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tube
Serije
π-MOSVIII
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
800 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
6A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1.7Ohm @ 3A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 600µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1350 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
45W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220SIS
Paket / Primer
TO-220-3 Full Pack
Osnovna številka izdelka
TK6A80
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
TK6A80ES4X
TK6A80E,S4X(S
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
STF6N62K3
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
963
ŠTEVILKA DELA
STF6N62K3-DG
CENA ENOTE
0.83
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SSM3J328R,LF
MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
SSM3K336R,LF
MOSFET N-CH 30V 3A SOT23F
2SK2507(F)
MOSFET N-CH 50V 25A TO220NIS
