Številka izdelka proizvajalca:
TK7A90E,S4X
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TK7A90E,S4X-DG
Opis:
MOSFET N-CH 900V 7A TO220SIS
Podroben opis:
N-Channel 900 V 7A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Zaloga:
95 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12891322
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TK7A90E,S4X Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tube
Serije
π-MOSVIII
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
900 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
7A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
2Ohm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 700µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1350 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
45W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220SIS
Paket / Primer
TO-220-3 Full Pack
Osnovna številka izdelka
TK7A90
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
TK7A90E,S4X(S
TK7A90ES4X
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
TK7E80W,S1X
MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220
TK11A50D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 500V 11A TO220SIS
SSM6J771G,LF
MOSFET P-CH 20V 5A 6WCSP
