Številka izdelka proizvajalca:
TK7J90E,S1E
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TK7J90E,S1E-DG
Opis:
MOSFET N-CH 900V 7A TO3P
Podroben opis:
N-Channel 900 V 7A (Ta) 200W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Zaloga:
25 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12890324
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TK7J90E,S1E Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tube
Serije
π-MOSVIII
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
900 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
7A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
2Ohm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 700µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1350 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
200W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-3P(N)
Paket / Primer
TO-3P-3, SC-65-3
Osnovna številka izdelka
TK7J90
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
TK7J90E,S1E(S
TK7J90ES1E
Standardni paket
25
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
TPCA8065-H,LQ(S
MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP
DMN3016LFDE-7
MOSFET N-CH 30V 10A 6UDFN
TK12A50D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 500V 12A TO220SIS
