Številka izdelka proizvajalca:
TPH1R306P1,L1Q
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TPH1R306P1,L1Q-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
Podroben opis:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 960mW (Ta), 170W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Zaloga:
3143 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12966838
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TPH1R306P1,L1Q Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
U-MOSIX-H
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
100A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1.28mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
91 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
8100 pF @ 30 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
960mW (Ta), 170W (Tc)
Delovna temperatura
175°C
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-SOP Advance (5x5)
Paket / Primer
8-PowerVDFN
Osnovna številka izdelka
TPH1R306
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
264-TPH1R306P1L1QCT
264-TPH1R306P1L1QTR
264-TPH1R306P1L1QDKR
TPH1R306P1,L1Q(M
Standardni paket
5,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SIJ128LDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 10.2A/25.5A PPAK
JANTXV2N6768
MOSFET N-CH 400V 14A TO204AE
IPD088N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3