Številka izdelka proizvajalca:
TPH2010FNH,L1Q
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TPH2010FNH,L1Q-DG
Opis:
MOSFET N-CH 250V 5.6A 8SOP
Podroben opis:
N-Channel 250 V 5.6A (Ta) 1.6W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Zaloga:
8954 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12890350
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TPH2010FNH,L1Q Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
U-MOSVIII-H
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
250 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
5.6A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
198mOhm @ 2.8A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 200µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
600 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
1.6W (Ta), 42W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-SOP Advance (5x5)
Paket / Primer
8-PowerVDFN
Osnovna številka izdelka
TPH2010
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
TPH2010FNH,L1Q(M
TPH2010FNHL1QTR
TPH2010FNHL1QCT
TPH2010FNHL1QDKR
Standardni paket
5,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
TPH11003NL,LQ
MOSFET N CH 30V 32A 8SOP
TPW1R005PL,L1Q
MOSFET N-CH 45V 300A 8DSOP
TPCA8105(TE12L,Q,M
MOSFET P-CH 12V 6A 8SOP
