Številka izdelka proizvajalca:
TPH2R903PL,L1Q
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TPH2R903PL,L1Q-DG
Opis:
PB-FPOWERMOSFETTRANSISTORSOP8-AD
Podroben opis:
N-Channel 30 V 70A (Tc) 960mW (Ta), 81W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Zaloga:
4970 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12988680
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TPH2R903PL,L1Q Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
U-MOSIX-H
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
70A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
2.9mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.1V @ 200µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2300 pF @ 15 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
960mW (Ta), 81W (Tc)
Delovna temperatura
175°C
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-SOP Advance (5x5)
Paket / Primer
8-PowerVDFN
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
264-TPH2R903PL,L1QTR-DG
264-TPH2R903PLL1QTR
264-TPH2R903PL,L1QCT
264-TPH2R903PL,L1QTR
264-TPH2R903PLL1QTR-DG
264-TPH2R903PL,L1QDKR
Standardni paket
5,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPW65R125CFD7XKSA1
HIGH POWER_NEW
TK7A80W,S4X
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
S2M0025120D
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V