Številka izdelka proizvajalca:
TPH4R008NH,L1Q
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TPH4R008NH,L1Q-DG
Opis:
MOSFET N-CH 80V 60A 8SOP
Podroben opis:
N-Channel 80 V 60A (Tc) 1.6W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Zaloga:
12476 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12890500
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TPH4R008NH,L1Q Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
U-MOSVIII-H
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
80 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
60A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
4mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
59 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
5300 pF @ 40 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
1.6W (Ta), 78W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-SOP Advance (5x5)
Paket / Primer
8-PowerVDFN
Osnovna številka izdelka
TPH4R008
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
TPH4R008NHL1QDKR
TPH4R008NHL1QTR
TPH4R008NHL1QCT
TPH4R008NH,L1Q(M
Standardni paket
5,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
TK35N65W5,S1F
MOSFET N-CH 650V 35A TO247
TPC8031-H(TE12LQM)
MOSFET N-CH 30V 11A 8SOP
DMN3009LFVW-13
MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
