Številka izdelka proizvajalca:
TPH4R50ANH,L1Q
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TPH4R50ANH,L1Q-DG
Opis:
MOSFET N CH 100V 60A SOP ADV
Podroben opis:
N-Channel 100 V 60A (Tc) 1.6W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Zaloga:
12716 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12891156
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TPH4R50ANH,L1Q Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
U-MOSVIII-H
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
60A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
4.5mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
5200 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
1.6W (Ta), 78W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-SOP Advance (5x5)
Paket / Primer
8-PowerVDFN
Osnovna številka izdelka
TPH4R50
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
TPH4R50ANH,L1Q(M
TPH4R50ANHL1QDKR
TPH4R50ANHL1QTR
TPH4R50ANHL1QCT
Standardni paket
5,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
TPH8R008NH,L1Q
MOSFET N-CH 80V 34A 8SOP
2SK2989(TPE6,F,M)
MOSFET N-CH TO92MOD
TK380P60Y,RQ
MOSFET N-CHANNEL 600V 9.7A DPAK
