Številka izdelka proizvajalca:
TPHR9003NL,L1Q
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TPHR9003NL,L1Q-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP
Podroben opis:
N-Channel 30 V 60A (Tc) 1.6W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Zaloga:
7302 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12891363
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TPHR9003NL,L1Q Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
U-MOSVIII-H
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
60A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
0.9mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.3V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
6900 pF @ 15 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
1.6W (Ta), 78W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-SOP Advance (5x5)
Paket / Primer
8-PowerVDFN
Osnovna številka izdelka
TPHR9003
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
TPHR9003NLL1QTR
TPHR9003NL,L1QCT
TPHR9003NL,L1QDKR
TPHR9003NL,L1QTR
TPHR9003NLL1QCT
TPHR9003NL,L1QDKR-DG
TPHR9003NLL1QDKR
TPHR9003NL,L1QCT-DG
TPHR9003NL,L1QTR-DG
TPHR9003NL,L1Q(M
Standardni paket
5,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
DMN1004UFV-7
MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333
TPH5200FNH,L1Q
MOSFET N-CH 250V 26A 8SOP
TJ15P04M3,RQ(S
MOSFET P-CH 40V 15A DPAK
