Številka izdelka proizvajalca:
TPN1110ENH,L1Q
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TPN1110ENH,L1Q-DG
Opis:
MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
Podroben opis:
N-Channel 200 V 7.2A (Ta) 700mW (Ta), 39W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Zaloga:
34748 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12891567
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TPN1110ENH,L1Q Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
U-MOSVIII-H
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
200 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
7.2A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
114mOhm @ 3.6A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 200µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
600 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
700mW (Ta), 39W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Paket / Primer
8-PowerVDFN
Osnovna številka izdelka
TPN1110
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
TPN1110ENHL1QCT
TPN1110ENHL1QTR
TPN1110ENHL1QDKR
TPN1110ENH,L1Q(M
Standardni paket
5,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
DMN2025UFDF-7
MOSFET N-CH 20V 6.5A 6UDFN
TPH14006NH,L1Q
MOSFET N CH 60V 14A 8-SOP ADV
TK14N65W,S1F
MOSFET N-CH 650V 13.7A TO247
