Številka izdelka proizvajalca:
TPN4R712MD,L1Q
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TPN4R712MD,L1Q-DG
Opis:
MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON
Podroben opis:
P-Channel 20 V 36A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Zaloga:
7052 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12890723
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TPN4R712MD,L1Q Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
U-MOSVI
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
20 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
36A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
2.5V, 4.5V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
4.7mOhm @ 18A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1.2V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
65 nC @ 5 V
Vgs (maks)
±12V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
4300 pF @ 10 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
42W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Paket / Primer
8-PowerVDFN
Osnovna številka izdelka
TPN4R712
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
TPN4R712MDL1QTR
TPN4R712MDL1QDKR
TPN4R712MDL1QCT
TPN4R712MD,L1Q(M
Standardni paket
5,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
TK31V60X,LQ
MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
TK100A06N1,S4X
MOSFET N-CH 60V 100A TO220SIS
TPC6009-H(TE85L,FM
MOSFET N-CH 40V 5.3A VS-6
