Številka izdelka proizvajalca:
2N6661-2
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
2N6661-2-DG
Opis:
MOSFET N-CH 90V 860MA TO39
Podroben opis:
N-Channel 90 V 860mA (Tc) 725mW (Ta), 6.25W (Tc) Through Hole TO-39
Zaloga:
12893005
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
2N6661-2 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
-
Serije
-
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
90 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
860mA (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
4Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2V @ 1mA
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
50 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-39
Paket / Primer
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Osnovna številka izdelka
2N6661
Dodatne informacije
Standardni paket
20
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS non-compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
2N6661
PROIZVAJALEC
Solid State Inc.
KOLIČINA NA VOLJO
6694
ŠTEVILKA DELA
2N6661-DG
CENA ENOTE
4.60
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRF520S
MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
IRF740BPBF
MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
2N6660
MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD