IRF730APBF
Številka izdelka proizvajalca:

IRF730APBF

Product Overview

Proizvajalec:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Številka dela:

IRF730APBF-DG

Opis:

MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
Podroben opis:
N-Channel 400 V 5.5A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220AB

Zaloga:

618 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12868758
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

IRF730APBF Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tube
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
400 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
5.5A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1Ohm @ 3.3A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
600 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
74W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220AB
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
IRF730

Tehnični list in dokumenti

HTML tehnični list
Tehnični listi
Podatkovni listi

Dodatne informacije

Druga imena
*IRF730APBF
Standardni paket
50

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
vishay-siliconix

IRFBF20PBF

MOSFET N-CH 900V 1.7A TO220AB

vishay-siliconix

IRFD9010PBF

MOSFET P-CH 50V 1.1A 4DIP

vishay-siliconix

IRFP450

MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3

nexperia

BUK966R5-60E,118

MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK