IRFBF20PBF
Številka izdelka proizvajalca:

IRFBF20PBF

Product Overview

Proizvajalec:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Številka dela:

IRFBF20PBF-DG

Opis:

MOSFET N-CH 900V 1.7A TO220AB
Podroben opis:
N-Channel 900 V 1.7A (Tc) 54W (Tc) Through Hole TO-220AB

Zaloga:

747 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12868787
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

IRFBF20PBF Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tube
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
900 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
1.7A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
8Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
490 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
54W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220AB
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
IRFBF20

Tehnični list in dokumenti

HTML tehnični list
IRFBF20PBF-DG
Tehnični listi
IRFBF20PBF
Podatkovni listi
IRFBF20 Packaging Information

Dodatne informacije

Druga imena
*IRFBF20PBF
Standardni paket
50

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Sorodni izdelki
vishay-siliconix

IRFD9010PBF

MOSFET P-CH 50V 1.1A 4DIP

vishay-siliconix

IRFP450

MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3

nexperia

BUK966R5-60E,118

MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK

nxp-semiconductors

BUK9E4R9-60E,127

MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK