Številka izdelka proizvajalca:
SI4835DDY-T1-E3
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
SI4835DDY-T1-E3-DG
Opis:
MOSFET P-CH 30V 13A 8SO
Podroben opis:
P-Channel 30 V 13A (Tc) 2.5W (Ta), 5.6W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Zaloga:
5684 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12916161
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SI4835DDY-T1-E3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
13A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
18mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±25V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1960 pF @ 15 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
2.5W (Ta), 5.6W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-SOIC
Paket / Primer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Osnovna številka izdelka
SI4835
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
SI4835DDY-T1-E3DKR
SI4835DDY-T1-E3CT
SI4835DDY-T1-E3TR
SI4835DDY-T1-E3-DG
SI4835DDYT1E3
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SI7806ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8
SI7629DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
SI6415DQ-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 6.5A 8TSSOP
