Številka izdelka proizvajalca:
SI6943BDQ-T1-E3
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
SI6943BDQ-T1-E3-DG
Opis:
MOSFET 2P-CH 12V 2.3A 8TSSOP
Podroben opis:
Mosfet Array 12V 2.3A 800mW Surface Mount 8-TSSOP
Zaloga:
12918131
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SI6943BDQ-T1-E3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, FET, MOSFET nizi
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
-
Serije
TrenchFET®
Stanje izdelka
Obsolete
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracijo
2 P-Channel (Dual)
Funkcija FET
Logic Level Gate
Odtok do napetosti vira (vdss)
12V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
2.3A
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
80mOhm @ 2.5A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
800mV @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
10nC @ 4.5V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
-
Moč - največja
800mW
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Paket naprav dobavitelja
8-TSSOP
Osnovna številka izdelka
SI6943
Dodatne informacije
Druga imena
SI6943BDQ-T1-E3DKR
SI6943BDQ-T1-E3CT
SI6943BDQ-T1-E3TR
SI6943BDQT1E3
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SI4228DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
SI5903DC-T1-E3
MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8
SI4501BDY-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 30V/8V 12A 8SOIC
