Številka izdelka proizvajalca:
SI7108DN-T1-GE3
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
SI7108DN-T1-GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8
Podroben opis:
N-Channel 20 V 14A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Zaloga:
8959 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12914803
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SI7108DN-T1-GE3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
20 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
14A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
4.9mOhm @ 22A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
30 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±16V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
1.5W (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PowerPAK® 1212-8
Paket / Primer
PowerPAK® 1212-8
Osnovna številka izdelka
SI7108
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
SI7108DN-T1-GE3TR
SI7108DNT1GE3
SI7108DN-T1-GE3DKR
SI7108DN-T1-GE3CT
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SI1039X-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 870MA SC89-6
IRFR9310TRRPBF
MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
SI2316BDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3
