Številka izdelka proizvajalca:
SIE808DF-T1-E3
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
SIE808DF-T1-E3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK
Podroben opis:
N-Channel 20 V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L)
Zaloga:
12918410
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SIE808DF-T1-E3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET®
Stanje izdelka
Last Time Buy
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
20 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
60A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1.6mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
155 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
8800 pF @ 10 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
5.2W (Ta), 125W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
10-PolarPAK® (L)
Paket / Primer
10-PolarPAK® (L)
Osnovna številka izdelka
SIE808
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
SIE808DF-T1-E3TR
742-SIE808DF-T1-E3CT
742-SIE808DF-T1-E3TR
SIE808DF-T1-E3DKR-DG
SIE808DF-T1-E3TR-DG
SIE808DF-T1-E3CT
SIE808DF-T1-E3CT-DG
742-SIE808DF-T1-E3DKR
SIE808DF-T1-E3DKR
SIE808DFT1E3
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SUP45P03-09-GE3
MOSFET P-CH 30V 45A TO220AB
SI4058DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOIC
NTB90N02T4
MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK
