Številka izdelka proizvajalca:
SIE820DF-T1-GE3
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
SIE820DF-T1-GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 20V 50A 10POLARPAK
Podroben opis:
N-Channel 20 V 50A (Tc) 5.2W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (S)
Zaloga:
730 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12919014
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SIE820DF-T1-GE3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serije
TrenchFET®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
20 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
50A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
2.5V, 4.5V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
3.5mOhm @ 18A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
2V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
143 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±12V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
4300 pF @ 10 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
5.2W (Ta), 104W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
10-PolarPAK® (S)
Paket / Primer
10-PolarPAK® (S)
Osnovna številka izdelka
SIE820
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
SIE820DF-T1-GE3CT
SIE820DF-T1-GE3DKR
SIE820DF-T1-GE3TR
SIE820DFT1GE3
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SIR412DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8
SI4842BDY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 28A 8SO
SIHB6N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
