Številka izdelka proizvajalca:
SIF912EDZ-T1-E3
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
SIF912EDZ-T1-E3-DG
Opis:
MOSFET 2N-CH 30V 7.4A PPAK
Podroben opis:
Mosfet Array 30V 7.4A 1.6W Surface Mount PowerPAK® (2x5)
Zaloga:
12915834
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SIF912EDZ-T1-E3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, FET, MOSFET nizi
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
-
Serije
TrenchFET®
Stanje izdelka
Obsolete
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracijo
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Funkcija FET
Logic Level Gate
Odtok do napetosti vira (vdss)
30V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
7.4A
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
19mOhm @ 7.4A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
15nC @ 4.5V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
-
Moč - največja
1.6W
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
PowerPAK® 2x5
Paket naprav dobavitelja
PowerPAK® (2x5)
Osnovna številka izdelka
SIF912
Dodatne informacije
Druga imena
SIF912EDZ-T1-E3TR
SIF912EDZT1E3
SIF912EDZ-T1-E3CT
SIF912EDZ-T1-E3DKR
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SQJQ960EL-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 60V 63A PPAK8X8
SQ9945AEY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 60V 3.7A 8SOIC
SIZ720DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 16A 6POWERPAIR