Številka izdelka proizvajalca:
SIZ720DT-T1-GE3
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
SIZ720DT-T1-GE3-DG
Opis:
MOSFET 2N-CH 20V 16A 6POWERPAIR
Podroben opis:
Mosfet Array 20V 16A 27W, 48W Surface Mount 6-PowerPair™
Zaloga:
12915897
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SIZ720DT-T1-GE3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, FET, MOSFET nizi
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET®
Stanje izdelka
Active
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracijo
2 N-Channel (Half Bridge)
Funkcija FET
Logic Level Gate
Odtok do napetosti vira (vdss)
20V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
16A
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
8.7mOhm @ 16.8A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
23nC @ 10V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
825pF @ 10V
Moč - največja
27W, 48W
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
6-PowerPair™
Paket naprav dobavitelja
6-PowerPair™
Osnovna številka izdelka
SIZ720
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SI4910DY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8SOIC
SIA911DJ-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
SI7844DP-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8