Domov
Izdelki
Proizvajalci
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogi in objave
Povpraševanje/Offer
Slovenia
Prijavite se
Izbira jezika
Trenutni jezik vašega izbora:
Slovenia
Preklopi:
Angleščina
Evropa
Velika Britanija
Francija
Španija
Turčija
Moldavija
Litva
Norveška
Nemčija
Portugalska
Slovaška
ltaly
Finska
Ruščina
Bolgarija
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češčina
Grščina
Hrvaška
Izrael
Srbija
Belorusija
Nizozemska
Švedska
Črna gora
Baskovščina
Islandija
Bosna
Madžarščina
Romunija
Avstrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kitajska
Vietnam
Indonezija
Tajska
Laos
Filipinščina
Malezija
Koreja
Japonska
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija in Bližnji vzhod
Združeni arabski emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipt
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunizija
Južna Amerika / Oceanija
Nova Zelandija
Angola
Brazilija
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Avstralija
Severna Amerika
Združene države Amerike
Haiti
Kanada
Kostarika
Mehika
O DiGi
O nas
O nas
Naše certifikate
DiGi Uvod
Zakaj DiGi
Politika
Politika kakovosti
Pogoji uporabe
Skladnost z direktivo RoHS
Postopek vračila
Viri
Kategorije izdelkov
Proizvajalci
Blogi in objave
Storitve
Garancija kakovosti
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cene pošiljanja
Pogosta vprašanja
Številka izdelka proizvajalca:
SIHP21N65EF-GE3
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
SIHP21N65EF-GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 21A TO220AB
Podroben opis:
N-Channel 650 V 21A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220AB
Zaloga:
Povpraševanje po cenah na spletu
12787533
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
*
Podjetje
*
Ime kontaktne osebe
*
Telefon
*
E-pošta
Naslov za dostavo
Sporočilo
(
*
) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SIHP21N65EF-GE3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tube
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
21A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
180mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
106 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2322 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
208W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220AB
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
SIHP21
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
SIHP21N65EF-GE3-DG
Tehnični listi
SIHP21N65EF-GE3
Podatkovni listi
SIHB21N65EF
Packaging Information
Dodatne informacije
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
STP25N60M2-EP
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
1008
ŠTEVILKA DELA
STP25N60M2-EP-DG
CENA ENOTE
1.19
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
TK17E65W,S1X
PROIZVAJALEC
Toshiba Semiconductor and Storage
KOLIČINA NA VOLJO
12
ŠTEVILKA DELA
TK17E65W,S1X-DG
CENA ENOTE
1.35
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
STP31N65M5
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
1095
ŠTEVILKA DELA
STP31N65M5-DG
CENA ENOTE
1.77
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
STP20N65M5
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
945
ŠTEVILKA DELA
STP20N65M5-DG
CENA ENOTE
1.36
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SIR112DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 40V 37.6A/133A PPAK
SIHP22N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
SIHA15N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 15A TO220
SUP50020EL-GE3
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB