SIR112DP-T1-RE3
Številka izdelka proizvajalca:

SIR112DP-T1-RE3

Product Overview

Proizvajalec:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Številka dela:

SIR112DP-T1-RE3-DG

Opis:

MOSFET N-CH 40V 37.6A/133A PPAK
Podroben opis:
N-Channel 40 V 37.6A (Ta), 133A (Tc) 5W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Zaloga:

Povpraševanje po cenah na spletu
12787538
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

SIR112DP-T1-RE3 Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET® Gen IV
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
40 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
37.6A (Ta), 133A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1.96mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
89 nC @ 10 V
Vgs (maks)
+20V, -16V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
4270 pF @ 20 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
5W (Ta), 62.5W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PowerPAK® SO-8
Paket / Primer
PowerPAK® SO-8
Osnovna številka izdelka
SIR112

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
SIR112DP
HTML tehnični list
SIR112DP-T1-RE3-DG
Tehnični listi
SIR112DP-T1-RE3

Dodatne informacije

Druga imena
SIR112DP-T1-RE3TR
SIR112DP-T1-RE3CT
SIR112DP-T1-RE3DKR
Standardni paket
3,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternativni modeli

ŠTEVILO DELA
RS3L045GNGZETB
PROIZVAJALEC
Rohm Semiconductor
KOLIČINA NA VOLJO
1173
ŠTEVILKA DELA
RS3L045GNGZETB-DG
CENA ENOTE
0.25
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
RS6G120BGTB1
PROIZVAJALEC
Rohm Semiconductor
KOLIČINA NA VOLJO
2094
ŠTEVILKA DELA
RS6G120BGTB1-DG
CENA ENOTE
1.48
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
RQ3G100GNTB
PROIZVAJALEC
Rohm Semiconductor
KOLIČINA NA VOLJO
112698
ŠTEVILKA DELA
RQ3G100GNTB-DG
CENA ENOTE
0.14
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
RS1G150MNTB
PROIZVAJALEC
Rohm Semiconductor
KOLIČINA NA VOLJO
0
ŠTEVILKA DELA
RS1G150MNTB-DG
CENA ENOTE
0.32
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
RQ3E180GNTB
PROIZVAJALEC
Rohm Semiconductor
KOLIČINA NA VOLJO
4770
ŠTEVILKA DELA
RQ3E180GNTB-DG
CENA ENOTE
0.21
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Sorodni izdelki
vishay-siliconix

SIHP22N60E-E3

MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB

vishay-siliconix

SIHA15N60E-E3

MOSFET N-CH 600V 15A TO220

vishay-siliconix

SUP50020EL-GE3

MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB

vishay-siliconix

SUM110N06-3M4L-E3

MOSFET N-CH 60V 110A TO263