SIHS36N50D-E3
Številka izdelka proizvajalca:

SIHS36N50D-E3

Product Overview

Proizvajalec:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Številka dela:

SIHS36N50D-E3-DG

Opis:

MOSFET N-CH 500V 36A SUPER-247
Podroben opis:
N-Channel 500 V 36A (Tc) 446W (Tc) Through Hole SUPER-247™ (TO-274AA)

Zaloga:

12917691
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

SIHS36N50D-E3 Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
-
Serije
-
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
500 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
36A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
130mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
125 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
3233 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
446W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
SUPER-247™ (TO-274AA)
Paket / Primer
TO-274AA
Osnovna številka izdelka
SIHS36

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi

Dodatne informacije

Druga imena
SIHS36N50DE3
Standardni paket
500

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
vishay-siliconix

SI3465DV-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 3A 6TSOP

vishay-siliconix

SI2343DS-T1-E3

MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3

nexperia

PMPB20EN,115

MOSFET N-CH 30V 7.2A DFN2020MD-6

vishay-siliconix

SIA462DJ-T4-GE3

MOSFET N-CH 30V 12A/12A PPAK