Številka izdelka proizvajalca:
SIR586DP-T1-RE3
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
SIR586DP-T1-RE3-DG
Opis:
N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Podroben opis:
N-Channel 80 V 20.7A (Ta), 78.4A (Tc) 5W (Ta), 71.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Zaloga:
8817 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12974327
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SIR586DP-T1-RE3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET® Gen V
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
80 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
20.7A (Ta), 78.4A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
7.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
5.8mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1905 pF @ 40 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
5W (Ta), 71.4W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PowerPAK® SO-8
Paket / Primer
PowerPAK® SO-8
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
742-SIR586DP-T1-RE3TR
742-SIR586DP-T1-RE3CT
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
FDMC86106LZ-L701
FET 100V 103.0 MOHM MLP33
SQ4483EY-T1_BE3
MOSFET P-CHANNEL 30V 30A 8SOIC
PJD14P06A_L2_00001
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
