Številka izdelka proizvajalca:
SIR610DP-T1-RE3
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
SIR610DP-T1-RE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 200V 35.4A PPAK SO-8
Podroben opis:
N-Channel 200 V 35.4A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Zaloga:
12786967
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SIR610DP-T1-RE3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
ThunderFET®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
200 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
35.4A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
7.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
31.9mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1380 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
104W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PowerPAK® SO-8
Paket / Primer
PowerPAK® SO-8
Osnovna številka izdelka
SIR610
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
SIR610DP-T1-RE3CT
SIR610DP-T1-RE3DKR
SIR610DP-T1-RE3TR
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
QS8J4TR
PROIZVAJALEC
Rohm Semiconductor
KOLIČINA NA VOLJO
8078
ŠTEVILKA DELA
QS8J4TR-DG
CENA ENOTE
0.37
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SIR164DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
SIHF7N60E-GE3
MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO220
V30406-T1-GE3
MOSFET N-CH SMD