Številka izdelka proizvajalca:
SIZ980DT-T1-GE3
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
SIZ980DT-T1-GE3-DG
Opis:
MOSFET 2N-CH 30V 20A 8PWRPAIR
Podroben opis:
Mosfet Array 30V 20A (Tc), 60A (Tc) 20W, 66W Surface Mount 8-PowerPair® (6x5)
Zaloga:
7153 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12787644
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SIZ980DT-T1-GE3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, FET, MOSFET nizi
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET®
Stanje izdelka
Active
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracijo
2 N-Channel (Dual), Schottky
Funkcija FET
-
Odtok do napetosti vira (vdss)
30V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
20A (Tc), 60A (Tc)
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
6.7mOhm @ 15A, 10V, 1.6mOhm @ 19A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.2V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
8.1nC @ 4.5V, 35nC @ 4.5V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
930pF @ 15V, 4600pF @ 15V
Moč - največja
20W, 66W
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
8-PowerWDFN
Paket naprav dobavitelja
8-PowerPair® (6x5)
Osnovna številka izdelka
SIZ980
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
SIZ980DT-T1-GE3-DG
SIZ980DT-T1-GE3CT-DG
SIZ980DT-T1-GE3DKR-DG
SIZ980DT-T1-GE3TR-DG
SIZ980DT-T1-GE3CT
742-SIZ980DT-T1-GE3CT
742-SIZ980DT-T1-GE3DKR
SIZ980DT-T1-GE3TR
742-SIZ980DT-T1-GE3TR
SIZ980DT-T1-GE3DKR
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SI9934BDY-T1-E3
MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 8SOIC
SIZ902DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 16A 8POWERPAIR
SIZ988DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 40A 8PWRPAIR
