Domov
Izdelki
Proizvajalci
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogi in objave
Povpraševanje/Offer
Slovenia
Prijavite se
Izbira jezika
Trenutni jezik vašega izbora:
Slovenia
Preklopi:
Angleščina
Evropa
Velika Britanija
Francija
Španija
Turčija
Moldavija
Litva
Norveška
Nemčija
Portugalska
Slovaška
ltaly
Finska
Ruščina
Bolgarija
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češčina
Grščina
Hrvaška
Izrael
Srbija
Belorusija
Nizozemska
Švedska
Črna gora
Baskovščina
Islandija
Bosna
Madžarščina
Romunija
Avstrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kitajska
Vietnam
Indonezija
Tajska
Laos
Filipinščina
Malezija
Koreja
Japonska
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija in Bližnji vzhod
Združeni arabski emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipt
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunizija
Južna Amerika / Oceanija
Nova Zelandija
Angola
Brazilija
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Avstralija
Severna Amerika
Združene države Amerike
Haiti
Kanada
Kostarika
Mehika
O DiGi
O nas
O nas
Naše certifikate
DiGi Uvod
Zakaj DiGi
Politika
Politika kakovosti
Pogoji uporabe
Skladnost z direktivo RoHS
Postopek vračila
Viri
Kategorije izdelkov
Proizvajalci
Blogi in objave
Storitve
Garancija kakovosti
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cene pošiljanja
Pogosta vprašanja
Številka izdelka proizvajalca:
SQ2361ES-T1_GE3
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
SQ2361ES-T1_GE3-DG
Opis:
MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23
Podroben opis:
P-Channel 60 V 2.8A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount
Zaloga:
67194 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12920626
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
*
Podjetje
*
Ime kontaktne osebe
*
Telefon
*
E-pošta
Naslov za dostavo
Sporočilo
(
*
) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SQ2361ES-T1_GE3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET®
Stanje izdelka
Last Time Buy
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
2.8A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
177mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
550 pF @ 30 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
2W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Razred
Automotive
Kvalifikacija
AEC-Q101
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Osnovna številka izdelka
SQ2361
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
SQ2361ES
HTML tehnični list
SQ2361ES-T1_GE3-DG
Tehnični listi
SQ2361ES-T1_GE3
Dodatne informacije
Druga imena
SQ2361ES-T1_GE3DKR
SQ2361ES-T1_GE3CT
SQ2361ES-T1-GE3
SQ2361ES-T1_GE3TR
SQ2361ES-T1_GE3-DG
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
FDN5618P
PROIZVAJALEC
onsemi
KOLIČINA NA VOLJO
31131
ŠTEVILKA DELA
FDN5618P-DG
CENA ENOTE
0.11
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
SQ2361ES-T1_BE3
PROIZVAJALEC
Vishay Siliconix
KOLIČINA NA VOLJO
23050
ŠTEVILKA DELA
SQ2361ES-T1_BE3-DG
CENA ENOTE
0.19
VRSTA NADOMESTILA
Direct
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
VS-FA38SA50LCP
MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227
SI8447DB-T2-E1
MOSFET P-CH 20V 11A 6MICRO FOOT
SQD10N30-330H_GE3
MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA
SUV85N10-10-E3
MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB