Številka izdelka proizvajalca:
SQM200N04-1M7L_GE3
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
SQM200N04-1M7L_GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7
Podroben opis:
N-Channel 40 V 200A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263-7
Zaloga:
12786121
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SQM200N04-1M7L_GE3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
40 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
200A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1.7mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
291 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
11168 pF @ 20 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
375W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-263-7
Paket / Primer
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Osnovna številka izdelka
SQM200
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
Tehnični listi
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
SQM200N04-1M7L_GE3-DG
SQM200N04-1M7L_GE3CT
SQM200N04-1M7L_GE3TR
SQM200N04-1M7L_GE3DKR
SQM200N04-1M7L-GE3
SQM200N04-1M7L-GE3-DG
Standardni paket
800
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IPB160N04S4LH1ATMA1
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
1895
ŠTEVILKA DELA
IPB160N04S4LH1ATMA1-DG
CENA ENOTE
1.40
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SISA10DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 30A PPAK1212-8
SUD45P03-10-E3
MOSFET P-CH 30V TO252
SIE726DF-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 60A 10POLARPAK