Številka izdelka proizvajalca:
SUD19P06-60-BE3
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
SUD19P06-60-BE3-DG
Opis:
MOSFET P-CH 60V 18.3A DPAK
Podroben opis:
P-Channel 60 V 18.3A (Tc) 2.3W (Ta), 38.5W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Zaloga:
3741 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12971969
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SUD19P06-60-BE3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
18.3A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
60mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1710 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
2.3W (Ta), 38.5W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-252AA
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
SUD19
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
742-SUD19P06-60-BE3CT
742-SUD19P06-60-BE3TR
742-SUD19P06-60-BE3DKR
Standardni paket
2,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
PJQ2463A_R1_00001
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJD100P03_L2_00001
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
NTMT185N60S5H
SUPERFET5 FAST 185MOHM PQFN88
