Številka izdelka proizvajalca:
AOW66616
Product Overview
Proizvajalec:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
DiGi Electronics Številka dela:
AOW66616-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 33A/140A TO262
Podroben opis:
N-Channel 60 V 33A (Ta), 140A (Tc) 6.2W (Ta), 125W (Tc) Through Hole TO-262
Zaloga:
12849645
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
AOW66616 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Pakiranje
Tube
Serije
AlphaSGT™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
33A (Ta), 140A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
6V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
3.2mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2870 pF @ 30 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
6.2W (Ta), 125W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-262
Paket / Primer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Osnovna številka izdelka
AOW666
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
5202-AOW66616
785-1822
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
FDD6690A
MOSFET N-CH 30V 12A/46A DPAK
AOW418
MOSFET N-CH 100V 9.5A/105A TO262
IRL610A
MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220-3
