Številka izdelka proizvajalca:
IMW120R030M1HXKSA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IMW120R030M1HXKSA1-DG
Opis:
SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-3
Podroben opis:
N-Channel 1200 V 56A (Tc) 227W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Zaloga:
1690 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12801405
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IMW120R030M1HXKSA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tube
Serije
CoolSiC™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
SiCFET (Silicon Carbide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
1200 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
56A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
15V, 18V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
40mOhm @ 25A, 18V
vgs(th) (maks) @ id
5.7V @ 10mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
63 nC @ 18 V
Vgs (maks)
+23V, -7V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2120 pF @ 800 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
227W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PG-TO247-3-41
Paket / Primer
TO-247-3
Osnovna številka izdelka
IMW120
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
448-IMW120R030M1HXKSA1
IMW120R030M1HXKSA1-DG
SP001727390
Standardni paket
30
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
Not Applicable
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
BSZ340N08NS3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 6A/23A 8TSDSON
IPB120P04P4L03ATMA1
MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK
CSD23285F5T
MOSFET P-CH 12V 5.4A 3PICOSTAR
